1．半导体存储芯片的基本结构 半导体存储芯片采用超大规模集成电路制造工艺，通过地址总线、数据总线和控制总线与外部连接。地址线是单向输入，数据线是双向输入输出，数据线和地址的位数共同反映存储芯片的容量。 控制线主要有读/写控制线与片选线两种。通常主存由多个存储芯片构成，读/写控制线决定芯片进行读/写操作，片选线用来选择存储芯片，如图所示。  图 64K×8位的存储器 根据存储器使用的不同，可以分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）。 （1）RAM随机存取存储器（Random Access Memory） CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出，电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为SRAM（静态RAM，Static RAM）和DRAM（动态RAM，Dynamic RAM）两类 （2）ROM只读存储器（Read Only Memory） ROM存储器将程序及数据固化在芯片中，数据只能读出不能写入，电源关掉，数据也不会丢失。ROM按集成电路的内部结构可以分为EPROM可擦除、可编程（Erasable PROM）和EEPROM电可擦除可编程（Electrically Erasable PROM）。 （3）Flash存储器 Flash存储器可在几秒钟的时间内完成全片的擦除，它的最大优点是集成度高、价格便宜，不需要脱机擦写、可在线编程，AT89S52单片机的程序存储器采用的是Flash存储器。 | 