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场效应管

2016-10-30 15:05:53 | 人围观 | 评论:

场效应晶体管:英文名称为Field Effect Transistor,缩写为FET,简称场效应管。
各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道,就是电流通道。
半导体的场效应,是在半导体表面的垂直方向上加一电场时,电子和空穴在表面电场作用下发生运动,半导体表面载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变,即改变为加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。

  场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三极管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有如下特点:
(1)输入阻抗高;
(2)输入功耗小;
(3)温度稳定性好;
(4)信号放大稳定性好,信号失真小;
(5)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
根据构造和工艺的不同,场效应管分为结型和绝缘型两大类。

  结型场效应管
  图十一(
a)是结型场效应管的结构示意图。
  图十一(
b)是N型导电沟道结型场效应管的电路符号。




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