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电子元器件
晶体三极管的主要参数
2016-12-05 18:13:22 | 人围观 |
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1.电流放大系数
当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数
晶体管工作在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为△IB ,它引起集电极电流的变化量为△IC 。△IC 与△IB的比值称为动态电流(交流)放大系数
在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为
,但二者含义不同。
2.集―基极反向截止电流 ICBO
ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流,其值很小。
3.集―射极反向截止电流 ICEO
ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流,也称为穿透电流,其值越小越好。
4.集电极最大允许电流ICM
当
值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流,称为集电极最大允许电流 ICM。
5.集―射反相击穿电压 U(BR)CEO
基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,称为集―射反相击穿电压 U(BR)CEO。
6. 集电极最大允许耗散功率PCM
当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时,集电极所消耗的最大功率,称为集电极最大允许耗散功率 PCM。
由ICM、U(BR)CEO、PCM三者共同确定晶体管的安全工作区。
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