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电子元器件 三极管的结构和类型: 　按PN结的组合方式分为NPN型和PNP型，它们的结构示意图和电路符号分别如图所示。　　不管是什么样的三极管，它们均包含三个区：发射区、基区、集电区，同时相应的引出三个电极：发射极（用E或e表示，Emitter）、基极（用B或b表示...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：218 | 作者：admin

电子元器件 三极管的电流分配与放大作用: 　　三极管具有放大作用，必须做到以下几点：　　1.结构上：　　√发射区掺杂浓度高于集电区；　　使用时，发射极和集电极不能互换。　　√基区较薄（只有几微米），掺入杂质浓度低。　　√集电结的面积应很大。　　2.电路中：√保...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：150 | 作者：admin

电子元器件 三极管的特性曲线型: 　　1、输入特性曲线　　在三极管共发射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UCE 维持不同的定值时，uBE和iB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线。一般情况下，当UCE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此时再...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：126 | 作者：admin

电子元器件 三极管选型及测量举例: 　　例1. 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？　　解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。　　例...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：96 | 作者：admin

电子元器件 什么是集成电路?集成电路是怎么分类的?: 　　集成电路：integrate circuit （IC）　　集成电路是继晶体管后的第三代具有电路功能的电子器件，集成电路是在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成具有特定功能的电子线路。集成电路与...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：129 | 作者：admin

电子元器件 三极管作为开关器件使用: 　　在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点：　...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：90 | 作者：admin

电子元器件 三极管功率放大电路: 　　在嵌入式电路设计中，很少使用到功率放大电路，昨天将大学模电教材晶体管内容通读后有所感悟，虽然当时模电自认为学的不错但重读之后才发现当时只是死记硬背而没有真正领悟。　　静态工作点不但决定是否会失真，而且...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：103 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管过流保护电路原理: 　　晶闸管设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流晶闸管损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥晶闸管损坏类较为严重, 一般是由于晶闸管因过电压而击穿,造成无正、反向阻...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：148 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管过压保护电路原理: 　　晶闸管设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。　　1.过电压保护的第一种方法是并接R―C阻容吸收回路，以及用压敏电阻...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：298 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管电流上升率、电压上升率的抑制保护: 　　1.电流上升率di/dt的抑制　　晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以0.1mm/s的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：114 | 作者：admin

电子元器件 三极管的识别与测量方法: (1)三极管的识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，分别如图1.2（a）与1.2（b）所示。引脚的排列方式具有一定的规律，对于金属外壳三极管，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点，从左向右依次为e b c...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：114 | 作者：admin

电子元器件 二极管的识别与测量方法: (1)二极管的识别二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：112 | 作者：admin

电子元器件 电阻的识别与测量方法: （1）电阻的识别电阻常见类型按材料分有：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、光敏电阻、热敏电阻；按结构分有：固定电阻、可变电阻（亦称电位器）。电阻的单位：（1）欧姆（Ω）（2）千欧（ΚΩ） 1kΩ=1000Ω=103 Ω（3）兆欧（ΜΩ） 1MΩ=1000ΚΩ=1...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：131 | 作者：admin

电子技术 同步二进制计数器: 计数器使用以统计输入脉冲CP个数的时序逻辑电路，在数字系统中得到了最广泛的使用。计数器的种类很多。按计数器中各触发器翻转是否与计数脉冲同步，可以分为同步计数器和异步计数器；按照计数器的技术过程中数字的增减...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：132 | 作者：admin

电子技术 同步十进制计数器: 通常，按计数器的最大计数容量命名计数器时，最大计数容量为N时，就称为N进制计数器。当N=2n时，就是前面讨论的n位二进制计数器；当N≠2n时，为非二进制计数器。非二进制计数器中最常用的是十进制计数器，下面讨论同步十进制计...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：80 | 作者：admin

电子技术 N>M的情况数制: 根据计数器的计数容量，把能够进行N进制计数功能的计数器称为任意进制的计数器。从降低成本的角度考虑，厂家不可能生产任意进制的计数器，只可能生产某些常用的、批量较大的集成计数器芯片，如十进制计数器、十六进制计...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：85 | 作者：admin

电子技术 同步任意进制计数器N<M的情况: 当所要设计的计数器计数容量M大于已有计数器的计数容量N时，必须将多片N进制计数器连接起来，才能构成M进制计数器。根据不同的情况，各个片之间的连接可采用串行进位方式、并行进位方式、整体置零方式和整体置数方式。...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：95 | 作者：admin

电子技术 时序逻辑电路的描述与分析方法: 时序逻辑电路任一时刻的输出状态不仅取决于当时的输入信号，还与电路原来的状态有关，即时序逻辑电路具有“记忆”的功能。因而时序逻辑电路中必须含有记忆能力的存储器件，最常用的是触发器。时序逻辑电路可用下列3个...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：89 | 作者：admin

电子技术 多层PCB电路板的接地方式: 　　根据经验法则，在高密度和高频率的场合通常使用四层板，就EMC而言比二层板好20 DB以上。在四层板的条件下，往往可以使用一个完整的地平面和完整的电源平面，在这种条件下只需要进行分成几组的电路的地线与地平面连接...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：72 | 作者：admin

电子技术 FPGA的几种热门应用: 　　没有一种器件可以满足全人类的众多需求，因此不用担心FPGA没有用武之地。必定是一系列产品的组合。下面主要介绍一下FPGA可以作为现今热门场景的几种应用。　　（1）网络存储产品，特别是现在的NAS，或者SAN设备上，其存...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：84 | 作者：admin

电子技术 FPGA与各组成器件之间互联: 　　系统架构确定，下一步就是FPGA与各组成器件之间互联的问题了。通常来说，CPU和FPGA的互联接口，主要取决两个要素：　　（1）CPU所支持的接口。　　（2）交互的业务。　　通常来说，FPGA一般支持与CPU连接的数字接口，其常用的有E...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：94 | 作者：admin

电子技术 ROM的内部结构: 图1所示是ROM的内部结构示意图。它是由地址译码器和存储矩阵两个主要部分组成的。图1 ROM的内部结构示意图...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：163 | 作者：admin

电子技术 ROM的基本工作原理: 下面以图1所示的二极管ROM存储器电路说明ROM的工作原理。图1 ROM的工作原理...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：87 | 作者：admin

电子技术 ROM的应用举例: 例1 试用ROM实现下列函数：解：可以看出，4个函数中包含了4个变量A、B、C、D，因此可以用有4个地址输入A0～A3和4个地址输出D0～D3的ROM来实现上述4个组合逻辑函数。定义ROM的地址输入A0～A3分别与函数中的自变量A、B、C、D对应...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：96 | 作者：admin

电子技术 半导体存储器的主要技术指标: 当一片ROM或RAM不能满足存储容量或字数、位数的要求时，需要将多片存储芯片组合起来，形成一个容量更大的存储器。1、存储容量① 用字数×位数表示，以位为单位，常用来表示存储芯片的容量，如1K×4位，表示该芯片由1K个单元（1...

发布时间：2017-02-03 | 评论：0 | 浏览：156 | 作者：admin

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