式中， LD――传输距离；
B ――线路码速率(Mbit/s)
D――色散系数(ps/km.nm
ε ――与色散代价有关的系数．
 λ――光源谱线宽度(nm)
其中ε由系统中所选用的光源类型来决定，若采用多纵模激光器(MLM)，因其具有码间干扰和模分配噪声两种色散机理，故取ε=0. 115；若采用单纵模激光器(SLM)和半导体发光二极菅(LED)，由于它们主要存在码间干扰，因而应取ε=0.306．
对于某一传输速率的系统而言，在考虑上述两个因素同时，可以利用公式(4-6)和式(4-30)分别计算出两个中继距离Lα，LD，然后取其较短者为该传输速率情况下系统的实际可达中继距离。
例 若一个565 Mbit/s单模光缆传输系统，其系统总体要求如下：
(l)系统的信息速率为565 Mbit/s，线路码型5B6B，传输速率为677 990 kbit/s．
(2)根据路由勘测设计，最长的中继段长度为40.5 kml
那么考虑采用直埋方式情况下，光缆工作环境温度范囤为O℃~ 26℃时，计算最大中继距离．
解 1．衰减的影响
目前现在生产的InGaAs隐埋异质结构多纵模激光器，其阈值电流小于50 mA．标称波长λ1=1310nm，波长变化范围为λtmin =1 295 nm，λtmax=1 325 nm．光脉冲谱线宽度△λmax≤2nm，发送光功率PT= -2.5 dBm．如用带冷却的GeAPD或高性能的PIN-FET组件，可在BER=l×10-10条件下得到接收灵敏度PR= -37 dBm，动态范围D≥20 dB．
考虑色散代价Pd=l dB，光连接器衰减Ac=1 dB（发送和接收端各一个），光纤接头损耗As=0.1 dB/km，光纤固有损耗α=0.4 dB/km；取ME=5.5 dB,Mc =0.1 dB/km，则由式(4-6)得 |
