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低压软起动器可控硅的主要技术参数

2018-09-17 16:35:47 | 人围观 | 评论:

建议拆掉软启动器后测试，以往在工厂测试电机时候，一般都建议拆掉变频器来测试的，其实就是主回路三条线，拆装很简单的，毕竟你测试电机绝缘时候，不知道你的测试仪输出的高压是多少了，一不留神会烧里边的器件的，毕竟里边除了可控硅，还可能有一些检测电路或者过压保护器件了，很容易受到破坏，一般主回路就是3个可控硅，可控硅的反向耐压和正向耐压，基本上是差不多的，可以参考这个小功率的可控硅表，厂家给出来的参数，和正向耐压是一致的，可以推测大功率的也差不多。


可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制极断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降(UF)
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。 5．维持电流(IH)
在控制极断开时，器件保持导通状态所必需的最小正向电流。
6．控制极触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。 7．控制极触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压。





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