2016-12-17 18:23:46 | 人围观 | 评论:
/1 80C51复位结构
80C51复位结构如图1所示，此处的复位引脚只是单纯地称为RST而不是RST/VPD，因为CHMOS型单片机的备用电源也是由VCC引脚提供的。
无论是HMOS型还是CHMOS型的单片机，在振荡器正在运行的情况下，复位是靠在RST/VPD引脚加持续2个机器周期（即24个振荡周期）的高电平来实现的。在RST引脚出现高电平后的第二个周期执行内部复位，以后每个周期重复一次，直至RST端变低电平。 2 复位电路及复位操作单片机的复位有上电复位和按钮手动复位两种。如图2（a）所示为上电复位电路，图（b）所示为上电按键复位电路。
图
2 80C51复位电路上电复位是利用电容充电来实现的，即上电瞬间RST端的电位与VCC相同，随着充电电流的减少，RST的电位逐渐下降。图2 (a)中的R是施密特触发器输入端的一
个10KΩ下拉电阻，时间常数为10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升时间不超过1ms，振荡器建立时间不超过10ms，这个时间常数足以保证完成复位操作。上电复位所需
的最短时间是振荡周期建立时间加上2个机器周期时间，在这个时间内RST的电平应维持高于施密特触发器的下阈值。
上电按键复位2（b）所示。当按下复位按键时，RST端产生高电平，使单片机复位。 复位后，其片内各寄存器状态见表，片内RAM内容不变。
表 复位后内部寄存器状态
寄存器<?XML:NAMESPACE PREFIX = O /> | 内容 | 寄存器 | 内容 |
PC | 0000H | TCON | 00H |
ACC | OOH | TL0 | 00H |
PSW | 00H | TH0 | 00H |
SP | 07H | TL1 | 00H |
DPTR | 0000H | TH1 | 00H |
P0~P3 | 0FFH | SCON | 00H |
IP | ××000000B | SBUF | 不定 |
IE | 0×000000B | PCON | 0×××0000B |
TMOD | 00H | | |