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绝缘栅型场效应晶体管的主要参数

2016-12-25 16:15:39 | 人围观 | 评论:

1、栅―源直流输入电阻RGS

在漏-源两极短路的情况下，外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅―源直流输入电阻RGS。由于MOSFET是电压控制元件，所以RGS很大，一般大于109Ω，这是MOSFET的优点之一。

2、栅一源击穿电压UGS(BR)

栅一源击穿电压是在增大MOSFET的UGS的过程中，绝缘层击穿，使IG迅速增大时的UGS(BR)值。

3、最大漏极电流IDM和最大耗散功率PDM

IDM和PDM都是MOSFET的极限参数，IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。最大耗散功率PDM决定于管子允许的温升。

4、低频跨导gm

低频跨导是在UDS为某一固定值时，漏极电流微小变化ΔID和对应输入电压变化量ΔUGS之比，即

其单位常采用和mS。它的大小是转换特性曲线在工作点处的切线的斜率，工作点位置不同，其数值也不同。低频跨导gm表示uGS对iD控制作用的强弱，是衡量MOSFET放大能力的参数。





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