晶闸管过压过流保护电路图

图1：快速熔短器的接入方法

2. 对于第二类过流，即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，则应当采用电子电路进行保护。常见过流保护原理图如下

图2：过流保护原理图
二.晶闸管的过压保护
     晶闸管设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。
1.过电压保护的第一种方法是并接R―C阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以抑制。见图3和图4。

2. 过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如下：

图5：过压保护原理图
三.电流上升率、电压上升率的抑制保护
1.电流上升率di/dt的抑制
    晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以0.1mm/s的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图:

图6：串联电感抑制回路
2.电压上升率dv/dt的抑制
    加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。
    为抑制dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R―C阻容吸收回路。如下图：

       图7：并联R―C阻容吸收回路
    晶闸管过压过流保护主要就是以上这些电路图，做好以上这些保护电路，设备的故障率会很大降低.