晶体管放大作用必须满足的条件:
内部条件: 晶体管结构上的特点
外部条件: 晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负; N区接正,P区接负。
（一）晶体管内部载流子的运动
1.发射区向基区注入电子的过程
载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn.
2.电子在基区的扩散过程
注入的电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成iB，绝大部分扩散到集电结边界。
3.电子被集电级收集的过程
电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn. 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICBO。
| (二）晶体管的电流分配关系 | ||||||||||||||||||||||
| 晶体管各极的电流构成： | ||||||||||||||||||||||
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| 发射极电流 iE 大部分流入集电极形成 iCn。 | ||||||||||||||||||||||
| 令 |  |  | ||||||||||||||||||||
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| 令 | ||||||||||||||||||||||
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| 则 |
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| （1）当 iB=0 时， iC=ICEO 。 称ICEO为穿透电流 （2）当 ICEO≈0, 则iC≈iB 即 | ||||||||||||||||||||||
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| 代表iB对iC的控制作用， | 越大，控制作用越强。 | |||||||||||||||||||||
| （三）晶体管的放大作用 | ||||||||||||||||||||||
| 本质: 电流控制作用，即iB对iC或iE对iC的控制作用。 | ||||||||||||||||||||||
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| 在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。 | ||||||||||||||||||||||
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| 集电极回路中接入的负载电阻上，仍可得到较大的输出信号电压。 | ||||||||||||||||||||||
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