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二极管的伏安特性_二极管正、反向特性实验

2017-01-15 17:44:25 | 人围观 | 评论:

1.正向特性
(1)在实验线路板上安装如图所示电路。
(2)调节电位器, 得到如图第一象限所示曲线。
2.反向特性
(1)在实验线路板上安装如图所示电路。

2)调节电位器 ,可改变二极管VD的反向电压 和反向电流 ,得到如上图第三象限所示曲线。
上图曲线即为二极管的伏安特性曲线,它描述了二极管两端的电压和流过二极管的电流的关系。
结论:
1)正向特性:如上图第一象限的曲线。
起始阶段,正向电压较小,正向电流极小,称为死区,二极管电阻很大,处于截止状态。
正向电压超过门坎电压或死区电压(硅管0.5V,锗管0.2V),电流随电压的上升急剧增大,二极管电阻得变很小,进入导通状态,二极管导通后,正向电流与正向电压呈非线性关系,正向电流变化较大时,二极管两端正向压降近于定值,硅管正向电压降约为0.7V,锗管约为0.3V
2)反向特性:如上图第三象限曲线图。
起始阶段,反向电流很小,不随反向电压变化,称为反向饱和电流(锗管大于硅管的反向电流)。
当反向电压增加到某一数值(反向击穿电压)时,反向电流急剧增大,称为反向击穿。




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