电子元器件-维修电工知识

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电子元器件 怎么检测和判断可控硅晶闸管的好坏: 硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：276 | 作者：admin

电子元器件 电容元件与电感元件: 一、电容元件 1、电容 C为常数---线性电容C不是常数---非线性电容2、电压与电流关系 3、能量二、电感元件 1、电感 L =Ψ / iL 单位是亨利 (H)L...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：123 | 作者：admin

电子元器件 半导体二极管的结构和类型: 1．结构: 半导体二极管是由一个PN结及它所在的半导体再加上电极引线和管壳构成。 2．类型: 按材料分类：硅管，锗管按结构分类：点接触型面接触型硅平面型按用途分类：普通二极...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：139 | 作者：admin

电子元器件 稳压二极管稳压条件: 1.当U>UZ时，稳压管DZ击穿稳压。 2.必须适当选择RZ的阻值，使流过稳压管的电流在管子的参数――稳定电流IZ和最大稳定电流IZM之间。例在如图所示的稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin...

发布时间：2016-12-30 | 评论：0 | 浏览：105 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅型场效应晶体管的特性曲线: MOSFET的特性曲线包括转移特性和输出特性。NMOS场效应管的输出特性同NPN晶体管的输出伏安特性曲线类似，只是参变量为栅-源电压UGS。N沟道增强型MOS的转移特性曲线和输出特性曲线如图1所示。(a)转移特性曲线(b)输出...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：102 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅型场效应晶体管的主要参数: 1、栅―源直流输入电阻RGS在漏-源两极短路的情况下，外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅―源直流输入电阻RGS。由于MOSFET是电压控制元件，所以RGS很大，一般大于109Ω，这是MOSFET的优点之一。2、栅一源击穿电压U...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：173 | 作者：admin

电子元器件 三极管电路图讲解: 图一所示是NPN三极管的共射极电路，图二所示是它的特性曲线图，图中它有3 种工作区域：截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入，操控整个三极管...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：107 | 作者：admin

电子元器件 电子元器件与电路基础: 一、电子元器件1、电阻器代号：R 电阻器是一种能够阻碍电流通过的元器件，简称电阻。在电路中，它可限制通过它所连支路的电流大小.。符号：作用：分流、限流、分压、降压、隔离、偏置等。好坏判别：用万用表电阻挡测得...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：102 | 作者：admin

电子元器件 可控硅怎么测量好坏?如何判断可控硅的好坏?: 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：127 | 作者：admin

电子元器件 GPU和CPU的区别是什么？: 　　GPU在几个主要方面有别于DSP（Digital Signal Processing，简称DSP（数字信号处理）架构。其所有计算均使用浮点算法，而且目前还没有位或整数运算指令。此外，由于GPU专为图像处理设计，因此存储系统实际上是一个二维的分...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：93 | 作者：admin

电子元器件 晶闸管过压过流保护电路图: 在电力电子行业经常用到晶闸管，如进相器、中频炉等，经常做维修的朋友都知道晶闸管有时会烧坏，那为什么烧坏呢？主要原因就是过压过流击穿，造成过压过流的原因有时是负荷变化引起的，有时是操作者错误的操作顺序引起的...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：298 | 作者：admin

电子元器件 如何判断三极管工作在线性区: 以最常用的共发射极电路（如图）为例，当输出电压Vout=Vc时，三极管处于截止状态，当输出电压Vout=0.3~0.5V（硅管）时，三极管处于饱和状态，当输出电压Vout处于上述两种情况之间时，三极管处于放大状态。 BJT的开关工作原理：形象...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：1322 | 作者：admin

电子元器件 反馈电阻并联电容的作用: 跟C1并联的两个电阻对不？不滤波。上面的C1滤波，加上C1可以减小高频增益。也就是说，输出端的高频信号有一部分会通过C1返回到输入端。不过，返回回来的信号跟输入的信号是不同相的。所以，就会有一部分高频信号被抵消掉了...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：216 | 作者：admin

电子元器件 集成电路EMI来源: 　　PCB中集成电路EMI的来源主要有：数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或者从逻辑低到逻辑高之间转换过程中，输出端产生的方波信号频率导致的EMl信号电压和信号电流电场和磁场芯片自身的电容和电感等。　　集成...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：99 | 作者：admin

电子元器件 集成电路封装特征在电磁干扰控制中的作用: 　　IC封装通常包括硅基芯片、一个小型的内部PCB以及焊盘。硅基芯片安装在小型64PCB上，通过绑定线实现硅基芯片与焊盘之间的连接，在某些封装中也可以实现直接连接小型PCB实现硅基芯片上的信号和电源与汇封装上的对...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：87 | 作者：admin

电子元器件 什么是续流二极管: 续流二极管通常是指反向并联在电感线圈、继电器、可控硅等储能元件两端，在电路中电压或电流出现突变时，对电路中其它元件起保护作用的二极管。以电感线圈为例，当线圈中有电流通过时，其两端会有感应电动势产生。当电流...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：159 | 作者：admin

电子元器件 续流二极管原理图解: 上图给出了续流二极管的典型应用电路，其中电阻R视情况决定是否需要。储能元件在VT导通时，电压为上正下负，电流方向从上向下。当VT关断时，储能元件中的电流突然中断，此时会产生感应电势，其方向是力图保持电流不变，即总想...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：115 | 作者：admin

电子元器件 续流二极管的作用: 续流二极管通常和储能元件一起使用，其作用是防止电路中电压电流的突变，为反向电动势提供耗电通路。电感线圈可以经过它给负载提供持续的电流，以免负载电流突变，起到平滑电流的作用！在开关电源中，就能见到一个由二极管和...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：134 | 作者：admin

电子元器件 国标集成电路的型号命名方法: 国标集成电路的型号命名方法(一)、(二)，如下面表格：一、国标集成电路的型号命名方法国标（GB3431―82）集成电路的型号命名由五部分组成，各部分的含义见表25。第一部分用字母“C”表示该集成电路为中国制造，符合国家标准...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：118 | 作者：admin

电子元器件 电子元器件产品特点: 1、产品门类多，品种繁杂。仅根据原电子部编制的电子产品分类和编码统计，电子元器件除集成电路以外的产品就有206个大类2519个小类，其中电真空器件13大类260个小类；半导体分立器件（包括激光、光电子器件等）18大类379小类...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：97 | 作者：admin

电子元器件 高频管和低频管的判别方法: 高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。这里介绍如何用万用表来快速判别它高频管与低频管。判别方法为：首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻，如果是测量PNP型管，万用表的负端接基极，正端接发射极；...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：89 | 作者：admin

电子元器件 晶体管与晶闸管的区别: 晶体管有两类型，NPN的和PNP的，可以用来放大电信号，可以用来做电子开关；晶闸管呢也可以用来做电子开关，但不能用来放大信号，它用来做开关比晶体管好，因为它的导通电阻比晶体管的低，能通大电流；另外它和晶体管的另外一个不...

发布时间：2016-12-25 | 评论：0 | 浏览：85 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅双极型晶体管结构与工作原理: 1．结构<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />IGBT的基本结构如图1a）所示，与P-MOSFET结构十分相似，相当于一个用MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。仔细观察发现其内部实际上包含...

发布时间：2016-12-21 | 评论：0 | 浏览：92 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅双极型晶体管工作特性: 1．静态特性<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />IGBT的静态特性主要有输出特性及转移特性，如图1所示。输出特性表达了集电极电流IC与集电极―发射极间电压UCE之间的关系，...

发布时间：2016-12-21 | 评论：0 | 浏览：115 | 作者：admin

电子元器件 绝缘栅双极型晶体管擎住效应和安全工作区: 1．擎住效应<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />如前所述，在IGBT管内存在一个由两个晶体管构成的寄生晶闸管，同时P基区内存在一个体区电阻Rbr，跨接在N+PN晶体管的基极与发...

发布时间：2016-12-21 | 评论：0 | 浏览：135 | 作者：admin

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