相关寄存器
外部存储器控制器包含4个寄存器，它们分别对应一个存储器组。通过这些寄存器，可以分别设置每个存储器组读写访问之间插入的等待周期个数、每个存储器组的总线宽度等。 |
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存储器组配置寄存器0～3（BCFG0～3）： |
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IDCY：在两个存储器组之间切换访问时，为了避免器件间的总线竞争，需要插入空闲的CCLK周期，该域控制着这个周期数。
计算公式为：空闲CCLK周期数 ＝ IDCY +1；（IDCY的复位值为15）
WST1：一些慢速的外部存储器可能不能适应EMC最高速度的读操作，所以需要在读周期中插入若干个空闲等待周期，以降低读操作的速度。该域控制着读周期中插入的空闲CCLK周期数。
计算公式为：读操作周期长度 ＝ WST1 + 3；（WST1的复位值为15）
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RBLE：如果外部存储器的总线宽度为16或32位，那么读写操作是对总线上的2个或4个字节的数据同时进行的。某些存储器允许对总线上的某几个字节进行独立的读写操作，而不影响其它字节，这通过芯片的字节定位引脚实现。当RBLE位为1时使能字节定位功能，BLS3:0在读写操作时输出低电平。当RBLE位为0时，禁止该功能。 |
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存储器组配置寄存器0～3（BCFG0～3）： |
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WST2：和读操作类似，一些慢速的外部存储器可能不能适应EMC最高速度的写操作，所以需要在写周期中插入若干个空闲等待周期，以降低写操作的速度。该域控制着写周期中插入的空闲CCLK周期数。
计算公式为：写操作周期长度 ＝ WST2 + 3；（WST2的复位值为15）
对于Burst ROM，计算公式为：写操作周期长度 ＝ WST2 + 1；
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BUSERR：总线错误状态位。如果EMC检测到AMBA总线上出现一个大于32位数据访问的请求，那么该位将置位。ARM7TDMI-S内核不会出现这样的请求；
WPERR：错误写状态位。如果对一个已经写保护（WP位为1）的存储器组进行写操作，该位将置位。向该位写入1，可以清零该位。
WP：该位为1时，相应的存储器组被写保护；
BM：如果外部存储器使用了Burst ROM，将该位置1；
AT：该域通常写入00。
MW：该位控制相应存储器组的数据总线宽度，如下表所示。
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MW控制域（BCFG[29:28]）与引脚BOOT1:0的关系：
由于Bank0可用于引导程序运行，所以BCFG0[29:28]的复位值与引脚BOOT1:0的设定有关(当BOOT1:0=11时，复位后从片内Flash引导程序运行)。
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与外部存储器的连接
如果存储器组配置成32位宽度，地址线A0和A1无用，可作为GPIO使用（由PINSEL2设置）；
如果存储器组配置成16位宽度，地址线A0无用，可作为GPIO使用（由PINSEL2设置）；
如果存储器组配置成8位宽度，并且使能字节定位功能（RBLE=1），存储器的写信号由 BLS[0]提供，否则由WE信号提供；
同一寄存器组的器件宽度必须一致。
与外部存储器连接――32位宽度
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与外部存储器连接――8/16位宽度 |
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相关启动代码分析 |
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