2023-04-15 11:25:05 | 人围观 | 评论:
中国北京2019年7月3日 – 在刚刚过去的PCIM Aisa展会上,泰克展示了功率器件全新测试方案,包括动态特性解决方案、静态特性解决方案、系统调试解决方案,整体解决方案助力工程师系统级优化设计。
当今功率半导体器件测试面临相当大的挑战,尤其是使用如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的先进材料制成的器件,通常这些新型器件的测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间以及从晶圆级到封装器件的完整测试。高效率低功耗的功率器件对马达控制电路和开关式电源等应用必不可少,对处理高功率和高电压/高电流也不可或缺。作为新型功率器件材料,GaN和SiC迅速引起人们的关注,与硅相比,GaN 和SiC 拥有大量的优势,包括:
·宽禁带,高电介质击穿电压,高工作温度
·高压功能,低导通电阻w
·芯片尺寸更小
·能够在高速度、高频率下工作
然而,传统差分探头不足以覆盖新的宽禁带半导体的特性范围的要求,新型功率器件测试存在诸多难点
·你是否能准确测试高侧门极电路?
·你会用实际测试来验证仿真结果吗?
·在测试中共模电压会导致哪些测试问题?
·你是否会用低侧试数据来推断高侧测试结果?
·你是否能够优化你的设计以达到最大的效率呢?
·在高侧电阻测试是否遇到障碍?
泰克推出了IGBT Town功率器件动态参数测试,可支持单脉冲、双脉冲及多脉冲测试方案,集成强大的发生装置,数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件,测试项目包含:Ton, Toff, td(on),td(off), tf(Ic), Eon, Eoff, tr(Ic) ,di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr 基于 IEC60747。
1)测试系统组成:
2)测试软件:
吉时利高功率参数曲线跟踪仪配置支持全系列器件类型和测试参数,包括特性分析工程师迅速开发完整的测试系统所需的一切。
开态测试
·从 fA 到 100A
·支持脉冲测试减少自热效应
·4线测试测量更低的导通电阻RdsOn
关态测试
·从mV到3kV,1fA电流分辨率
·过压保护模块确保低功率设备安全
CV(电容-电压)测试
·支持3KV CV测试功能
·自动计算Ciss, Coss, Crss等典型参数
当今一些电源电子拓扑中包含的超快功率半导体开关技术(如SiC或GaN)极难进行优化。SiC MOSFET和GaN FET开关电源转换器分析包是市场上唯一能够准确检定所有关键参数(用于优化采用SiC和GaN等技术的电源电子拓扑)的解决方案,其中包括:
·高端和低端上的栅极电荷和栅极驱动性能
·停滞时间优化,其中包括精确开机、关机和栅极驱动定时
·高端和低端开关上的 VGS、VDS 和 ID 测量
·开关损耗、传导损耗和磁损耗分析
泰克为您提供整体解决方案,助您系统级优化设计。泰克测试方案:
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